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集成电路制造核心装备取得历史性突破

2006年9月28日

　　9月28日，当很多人都喜气洋洋地为庆祝共和国57岁生日和“十一”黄金周长假做准备的时候，由北京北方微电子公司和北京中科信公司承担的国家“十五”863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米离子刻蚀机”和“100纳米离子注入机”项目顺利通过科技部组织的验收。
　　虽然仪式并不张扬，但所有参与者都激动不已，因为100纳米离子刻蚀机和离子注入机不仅是我国863计划集成电路制造的重大装备，也标志着我国集成电路装备水平达到了与国际同步的“8英寸100纳米”水平，从此突破发达国家对该项核心技术的封锁。
　　一步跨越5个技术代
　　100纳米离子刻蚀机和离子注入机是生产集成电路高端芯片的重要装备。“100纳米”指半导体硅材料芯片上线宽的单位，线宽越小，芯片单位面积上集成晶体管个数会越多，芯片的集成度和运行速度则越快。这就好比汽车发动机气缸越多，马力就越大。芯片的体积是一定的，要想增大芯片的“马力”，就必须减小“气缸”体积、增加“气缸”数量。减小线宽的目的就是增大芯片的集成度和运行速度。
　　在芯片生产中，离子刻蚀机用来在硅材料的集成晶体管行进路线上“铺轨”。而离子注入机则用来在“轨道”上把载能离子注入到硅材料表面，使芯片导电。
　　虽然说起来简单，但100纳米离子刻蚀机和离子注入机是发达国家历经10年才研究成功的技术，技术水平比此前中国拥有的“6英寸500纳米”技术超前了5个技术代。

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