北方华创发布12英寸微波ECR等离子体刻蚀设备

近日，北京电控所属北方华创集团首台面向先进工艺节点的12英寸微波ECR（Electron Cyclotron Resonance，电子回旋共振）等离子体刻蚀设备Acme Helix430正式发布。该设备与现有ICP（电感耦合等离子体）、CCP（电容耦合等离子体）刻蚀设备形成技术路线互补，进一步完善了国产12英寸高端刻蚀设备的产品谱系。

Acme Helix430产品外观

刻蚀是晶圆制造前道核心工序，作用是将光刻图形精准转移到晶圆表面。据SEMI（国际半导体设备与材料组织）测算约占全球晶圆制造设备市场规模的20%，近300亿美元。其中，微波ECR是随先进逻辑节点量产逐步放量的细分增量赛道。随着晶体管结构向环栅纳米片（GAA）演进，加工损伤控制与刻蚀精度的要求不断提高，微波ECR等离子体兼具高密度等离子体与超低离子轰击能量，成为GAA节点低损伤、高选择比刻蚀的优选技术路线。

Acme Helix430采用自主研发的微波ECR等离子体技术，可显著降低刻蚀离子损伤，适配浅沟槽隔离、栅极刻蚀等核心工艺；结合磁场拓扑优化与原子层刻蚀（ALE）模式，改善沟槽深度均一性，在保护硬掩膜结构的同时控制微负载效应。设备配备大容量分子泵，结合创新腔室设计与高流导系统，将腔室工艺压力稳定控制在毫托级，在20:1以上高深宽比结构刻蚀中仍具备充裕工艺容差，有效减少微掩膜缺陷。

综合来看，Acme Helix430在低损伤刻蚀、高深宽比形貌控制、高选择比刻蚀领域优势显著，为微波ECR技术路线的规模化应用提供了装备支撑。随着先进工艺节点持续演进，微波ECR等离子体刻蚀设备有望成为先进工艺节点刻蚀的重要技术方案。集成电路装备是北京电控“芯屏智融”产业生态的重要组成部分，北京电控将持续支持所属企业加强关键核心技术攻关，为提升集成电路产业链供应链韧性贡献力量。